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可控硅包括单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个脚。单向可控硅的三个引脚分别是G（控制极）、K（阴极）、阳极（A）。双向可控硅的三个引脚分别是G（控制极）、T1（输入端）、T2（输出端）。双向可控硅其实就是由两只单项可控硅反向并联构成的。单向可控硅图分辨单、双向可控硅的方法，用万用表的RX1档分别对可控硅三个引脚进行两两正反测量，这样测完一个可控硅需要测6次，6次中测量中只有一次测量值为几十至几百欧，就可判定这个可控硅是单向可控硅。对于模拟电路的检测，应重点测试直流电压，交流电压和直流电流，如果在检测的过程中掌握一定的技巧将大大提高工作效率。一.直流电压及检测技巧1.放大电路直流电压检测一般的放大电路大多是属于甲类工作状态的，它们的特点是：无论有无信号，流过晶体管的电流平均值不变，反应到各管脚的电流电压值不变，即这类电压无信号与有信号的值是一样的，都等于它的直流静态工作点的电压值。U 1VUBE=UB-UE=0.761UCE=UC-UE=9.348按照一般规律，放大状态的硅管的UBE约为0.7V，锗管的UBE约为0.2V，且UCUBUE,所以上面的数据合理。同时需要注意市电的有效值为220V，其峰值电压为311V，以此计算我们可以得到每个电阻的瞬时功率为228mw，严重超过了电阻的额定功率，因此使用是存在危险的。光耦的过零点反应速度慢,TZA上升沿时间长。实际测试发现光耦过零点上升沿和下降沿的跳变时间为120us左右(高低电平压差为3.3V)。对于一般的应用可以接受，但是对于通信中的同步应用该反应时间将严重影响通信质量。因为在120us内都可以认为是发生了过零事件，也就是说我对过零的判断可能存在达120us的偏差。有些电机的铁芯高低不齐，甚至有的定子槽已经歪扭，硅钢片压得也不紧，质量较差，这种电机B应取较小值。此外，启式电机B取较大值，封闭式电机B取较小值，容量较大的电机B可取较大值。导线截面的核算导线截面的大小直接与选取的电流密度有关，而电流密度的选取，对电机容量、性能有很大的影响。导线的电流密度，一般在5~6A/mm2范围内选取。若电流密度选取过高，则电机损耗会增加，温升会，效率下降，同时，绝缘材料寿命缩短，若电流密度选取过低，则电机的铜线大量浪费，下线也较困难。